Technische Hochschule Deggendorf
Günther Benstetter
Anschrift:
Herr Prof. Dr.-Ing. Günther Benstetter
Technische Hochschule Deggendorf
Elektro- und Medientechnik
Elektron. Bauelemente/Materialwissenschaften
Technische Hochschule Deggendorf
Elektro- und Medientechnik
Elektron. Bauelemente/Materialwissenschaften
Straße:
Edlmairstr. 6 & 8
Ort:
94469 Deggendorf
Tel.:
+49 991 3615 513 bzz. 501
Fax:
+49 991 3615 562
Website:
Leistungsprofil:
Praxisrelevante Forschungsgebiete:- Oberflächen-, Dünnschicht- und Werkstoffanalytik Halbleiter-Analytik (Dotierprofile, pn-Überg., etc.) Halbleiter-Zuverlässigkeitsanalytik (Waferlevel-Tests) Halbleiter-Fehler- und Konstruktionsanalytik
- Raster-Sonden-Mikroskopie: div. Verfahren, z.B.: • Raster-Kapazitätsmikroskopie / spekroskopie (SCM / SSCS) • Kelvin-Probe-Force Mikroskopie (KPFM) • Scanning Thermal Mikroskopie (SThM) • Conductive AFM (C-AFM) • kontinuierliche Methodenentwicklung / Modifikation
- Raster-Elektronen-Mikroskopie & REM-basierte Analysemethoden: • ElektronenStrahl-MikroAnalyse (ESMA): EDX und WDX • MikroRöntgen-FluoreszenzAnalyse (µ-RFA) • Elektron Backscatter Diffraction (EBSD) • Raster-Transmissions Elektronenmikroskopie (STEM)
- Fourier-Transform-Infrarot-Spektroskopie (FT-IR)
- Elektrische Halbleiter-Messtechnik • Waferlevel-Charakterisierung und Zuverlässigkeitsanalytik • HL-Lebensdauerprojektionen • Bauelement-Charakterisierung • Lock-In-Verstärkertechnik
Praxisrelevante Ausstattung/Messmethoden:
- REM, STEM, AFM, EDX, WDX, µ-RFA, EBSD, FT-IR, div. HL-Analysatoren, 200mm und 300mm Waferprober, Laser-Cutter, Probenpräparationslabor, div. opt. Mikroskope und el. Messgeräte
Publikationen:
- R. Biberger, G. Benstetter, H. Goebel, A. Hofer, Intermittent-Contact Capaci-tance Spectroscopy – A new method for determining C(V) curves with sub-micron lateral resolution, Microelectronics Reliability, 50, 1511-1513, 2010
- G. Benstetter, R. Biberger, D. Liu, A Review of Advanced Scanning Probe Mi-croscope Analysis of Functional Films and Semiconductor Devices, Thin Solid Films, 517 (17), p.5100, 2009
- Mario Lanza, Marc Porti, Montserrat Nafria, Xavier Aymerich, Günther Benstet-ter, Edgar Lodermeier, Heiko Ranzinger, Gert Jaschke, Steffen Teichert, Lutz Wilde and Pawel Piotr Michalowski, Conductivity and Charge Trapping After Electrical Stress in Amorphous and Polycristalline Al2O3 Based Devices Stu-died With AFM Related Techniques, IEEE Transactions on Nanotechnology, (99), 2010
- R.Biberger, G. Benstetter, T. Schweinböck, P. Breitschopf, H. Göbel: Intermit-tent-contact scanning capacitance microscopy versus contact mode SCM app-lied to 2D dopant profiling, Microelectronics Reliability, 48 (8-9), p.1339-1349, Aug 2008
- Dongping Liu, Jiandong Gu, Zhiqing Feng, Dongming Li, Jinhai Niu, and Guenther Benstetter “Comparison of fluorocarbon film deposition by pulsed/continuous wave and downstream radio frequency plasmas”, Vacuum 2010, 85: 253-262
- Y. Yin, D. Liu, D. Li, J. Gu, Z. Feng, J. Niu, G. Benstetter, S. Zhang, Surface properties of silicon oxide films deposited using low pressure dielectric discharge, applied surface science 255, 7708-7712, 2009
- W. Bergbauer, T. Lutz, W. Frammelsberger, G. Benstetter: „Kelvin Probe Force Microscopy – An appropriate tool for the electrical characterisation of LED heterostructures“, Microelectronics Reliability 46 (2006) 1736-1740
- D. Liu, S. Zhang, S.-E. Ong, G. Benstetter, H. Du: „Surface and electron emission properties of hydrogen-free diamond-like carbon films investigated by atomic force microscopy“, Materials Science & Engineering A 426 (2006) 114-120, March 2006
- D.P. Liu, J.L. Zhang, Y.H. Liu, J. Xu, and G. Benstetter: “Growth processes and surface properties of diamondlike carbon films” J. Appl. Phys. 97, 104901 (2005).
Kooperationsangebot für die Wirtschaft / Praxis:
Bevorzugte Form der Kooperation:
- Beratung
- Gutachten
- Messung
- FuE
- Bachelor-/Master-/Diplomarbeit
- Doktorarbeit
- Personaltransfer
- Bildung
Bestehende Kooperationen:
Mit Hochschulen:
div
Mit anderen Institutionen:
div
Mit Unternehmen:
div
Zurück zur Liste
Falls dies ihr Profil ist, können Sie es hier nach dem Login bearbeiten.